[Patent] 플라스마 질화법을 이용한 반도체 소자의 금속 실리사이드형성 방법







플라스마 질화법을 이용한 반도체 소자의 금속 실리사이드형성 방법, 이한보람, 구길호, 박찬경, 김형준


요약





본 발명은 반도체소자의 에피택셜(epitaxial) 금속 실리사이드(metal silicide) 콘택트형성 방법에 대한 내용을 제공한다.


산화(oxide) 막을 제거한 반도체 기판 위에 암모니아 플라스마를 이용하여 질화물 확산 조절막을 형성시킨 뒤 금 속 박막을 증착하고, Ti 산화 방지막을 순차적으로 형성시킨다. 열처리과정 중에 질화물 확산 조절막을 통하여 실리콘 기판으로 확산하는 금속물질의 확산을 조절하여, 실리콘 기판 위에서 실리사이드를 에피택셜 박막 형태로 형성시킨다.





이때 암모니아 플라스마의 노출시간을 조절함으로써, 질화물 확산 조절막의 두께를 정확하게 조절할 수 있으며, 이를 통해 에피택셜 금속 실리사이드의 두께 및 균질도를 정확하게 조절할 수 있다.