[Patent] 플라스마 원자층 증착법을 이용한 반도체 콘택트용 금속실리사이드 제조방법







플라스마 원자층 증착법을 이용한 반도체 콘택트용 금속실리사이드 제조방법, 이한보람, 손종역, 김형준


요약





본 발명은 반도체 소자의 제조 공정 중에서 콘택트(contact)를 형성하는데 적용되는 단결정 금속 실리사이드를 효율적으로 형성하는 방법에 관한 것으로서, 층간 막(interlayer)을 형성하기 위한 별도의 공정 없이 한 번의 공 정으로 층간 막과 금속 박막을 순차적으로 형성시킬 수 있는 반도체 소자의 콘택트용 에피텍셜 금속 실리사이드 의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.





상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, PE-ALD법을 이용한 금속 실리사이드 제조방법으로서, 금속 박막을 형성하 는 금속 전구체와 층간 막(interlayer)을 형성하도록 하는 가스 플라스마를 반도체 기판상에 순차적으로 반복 주 입하여 금속 박막과 층간 막을 형성하고, 상기 금속 박막의 산화를 방지하기 위한 산화 방지막을 증착한 후 열처 리를 하는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드 제조방법을 제공한다.