[Patent] 열처리 공정 없는 플라스마 원자층 증착법을 이용한 금속실리사이 드 박막의 제조방법







열처리 공정 없는 플라스마 원자층 증착법을 이용한 금속실리사이드 박막의 제조방법, 이한보람, 손종역, 김형준 


요약





본 발명은 플라스마 원자층 박막 증착 방법(plasma-enhanced atomic layer deposition, PE-ALD)을 사용하여 반 도체 소자의 금속 실리사이드(metal silicide) 콘택트를 열처리 없이 직접 형성하는 방법을 제공한다.


본 발명에 따르면, 자연 산화막(native oxide)을 제거한 반도체 기판 위에, 금속 전구체(metal precursor)와 암 모니아 플라스마를 반응물로 사용하는 공정을 기본으로 사용하고, 실리콘 전구체로서 실란(SiH4) 가스를 부가적


으로 첨부시켜 금속 실리사이드 박막을 형성시킨다. 본 발명에 따른 방법은 기존의 공정과 다르게 열처리 공정 을 배제한 증착 방법이므로, 실리사이드 형성시에 실리콘 기판 소비 문제를 근본적으로 해결할 수 있을 뿐 아니 라, PE-ALD 공정의 장점인 높은 단차 피복성(step coverage)의 장점을 활용할 수 있어, 향후 나노스케일 소자 제 작시에큰장점을지닌공정으로사용될수있다.