[Patent] 탄소나노튜브의 압전효과에 의한 변형을 이용한 트랜지스터및 비휘 발성 메모리







탄소나노튜브의 압전효과에 의한 변형을 이용한 트랜지스터및 비휘발성 메모리, 손종역, 이한보람, 우윤성, 이성균


요약





본 발명은 탄소나노튜브를 압전소자에 의해 변형시킬 때 일어나는 저항의 변화를 이용하여 스위칭이 되는 신개념 의 트랜지스터와 이를 이용한 비휘발성 메모리를 제공하는 것을 목적으로 한다.





상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 탄소나노튜브의 양단부에 각각 전기적으로 접촉되는 소스 전극과 드레인 전극을 포함하고, 상기 탄소나노튜브의 일측에 압전소자가 배치되어 있어, 상기 압전소자에 의한 상기 탄소나노 튜브의 변형을 통해 스위칭이 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 트랜지스터를 제공한다. 또한 상기 압전소자로 형상 기억 메모리 압전소자(shape piezoelectric actuator)를 사용할 경우, 비휘발성 메모리로의 응 용이 가능하다.