[Patent] 선택적 증착법을 이용한 반도체 소자의 콘택트 형성방법

image







선택적 증착법을 이용한 반도체 소자의 콘택트 형성방법, 이한보람, 김우희, 김형준


요약


본 발명은 전이금속의 원자층 증착 공정과 자기조립 단분자막을 이용하여 원하는 부분에 박막을 증착할 수 있어 실리콘 소자의 콘택트 형성에 적용할 수 있는 방법에 관한 것으로서, 자기조립 단분자막을 원하는 부분에 코팅하 여 표면 개질을 행한 뒤 원자층 증착 공정을 실행하여 개질된 표면, 혹은 개질되지 않은 표면 위에만 선택적으로 증착이 일어나도록 한다. 이를 사용하여 실리콘 전자소자의 콘택트 형성시에 간편화된 방법으로 기존의 방법을 대체할수있다.