[Paper]원자층증착기술에서 표면특성에 따른 나노재료의 차원변환기술

Han-Bo-Ram Lee




















Journal of Information Display,

14(5),
23-32 (2013)



UCI :G100:I100-KOI(KISTI1.1003/JNL.JAKO201301442490950)




Abstract

The Korean Information Display Society(KIDS)    

















원자층증착법(ALD: atomic layer deposition)은 1970년대 핀란드의 Suntola 박사에 의해서 고안된 박막증착 방법 이다.  초기 개발당시 ALE(atomic layer epitaxy)라고 불리우며 대면적 디스플레이 장치 제작시에 박막을 증착하는 방법으로 사용되었다. 1990년대 까지만 해도, 뛰어난 단차 피복성(step coverage)과 원자레벨에서의 두께 조절이 가능한 장점이있음에도 불구하고 널리 사용되지 않았다. 그것은 ALD법의 낮은 증착속도(growth rate) 때문에 대량생산에 대한 활용가능성이 낮았기 때문이다. 그러나 실리콘 전자소자의 크기가 나노스케일로 감소하고 그 구조도 이차원에서 삼차원으로 변화하면서 기존의 박막 증착법으로는 단차피복성의 한계를 보여 ALD법이 새로운 대안으로 떠올라 활발한 연구가 이루어지고 있다. 또한 에너지, 바이오 등의 응용분야에서 나노구조화를 이용한 소자를 제작 하고 있기 때문에 ALD법을 중점적인 제작기술로 차용하여 연구하고 있다.